Справочник MOSFET. AO3160E

 

AO3160E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO3160E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
   Тип корпуса: SOT23A
 

 Аналог (замена) для AO3160E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3160E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  aosemi
 ao3160e.pdf pdf_icon

AO3160E

AO3160E600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Logic Level Driving 4.5V VDS @ Tj,max 700V ESD Protection ID (at VGS=10V) 0.04A RoHS and Halogen Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:251K  aosemi
 ao3160.pdf pdf_icon

AO3160E

AO3160600V,0.04A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3160 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.04Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:256K  aosemi
 ao3162.pdf pdf_icon

AO3160E

AO3162600V,0.034A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO3162 is fabricated using an advanced high voltageMOSFET process that is designed to deliver high levels VDS 700V@150of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 0.034Aapplications. RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOSS21115C , AOSS21311C , AOSS21319C , AOSS21329 , AOSS32128 , AOSS32136C , AOSS32334C , AOSS32338C , MMIS60R580P , AOT080A60L , AOT095A60FDL , AOT095A60L , AOT125A60L , AOT160A60L , AOT190A60CL , AOT190A60L , AOT280A60L .

History: AM4922N | IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.