Справочник MOSFET. FXN12S65F

 

FXN12S65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FXN12S65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

 

FXN12S65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  cn fx-semi
fxn12s65f.pdf pdf_icon

FXN12S65F
FXN12S65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12S65F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN12S65F uses advanced Cool MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

 9.1. Size:868K  cn fx-semi
fxn12n65f.pdf pdf_icon

FXN12S65F
FXN12S65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12N65F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN12N65F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in ind

 9.2. Size:927K  cn fx-semi
fxn12n60fs.pdf pdf_icon

FXN12S65F
FXN12S65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12N60FS Series Rev.AGeneral Description Features The FXN12N60FS uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in i

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top