FXN28S50F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FXN28S50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
trⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN28S50F Datasheet (PDF)
fxn28s50f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN28S50F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28S50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu
fxn28n50p.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN28N50P Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28N50P uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu
fxn28n50f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN28N50F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu
fxn28n50t.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN28N50T Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28N50T uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
