B4N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

B4N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: B4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1136K  cn wxdh
 b4n60.pdf pdf_icon

B4N60

B4N604A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 600Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 4.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)= 2.12 Features Fast switching ESD impro

 0.1. Size:80K  philips
 php4n60e phb4n60e.pdf pdf_icon

B4N60

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 2.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

 0.2. Size:795K  blue-rocket-elect
 brb4n60.pdf pdf_icon

B4N60

BRB4N60 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... DH019N04F , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , B2N65 , IRFB7545 , B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 , B740 .

 

 
Back to Top

 


 
.