D80N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D80N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для D80N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D80N06 даташит

 ..1. Size:1315K  cn wxdh
 80n06 f80n06 i80n06 e80n06 b80n06 d80n06.pdf pdf_icon

D80N06

80N06/F80N06/I80N06/ E80N06/B80N06/D80N06 80A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 60V Used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 7m DS(on) (Type) G the RoHS standard. 1 ID = 80A 3 S 2 Features Fast Switching High avalanche C

 0.1. Size:260K  semihow
 hrld80n06k hrlu80n06k.pdf pdf_icon

D80N06

June 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRLD80N06K / HRLU80N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD80N06K HRLU80N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 0.2. Size:266K  semihow
 hrd80n06k hru80n06k.pdf pdf_icon

D80N06

Sep 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRD80N06K / HRU80N06K ID = 114 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD80N06K HRU80N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 6.

 0.3. Size:3557K  cn puolop
 ptd80n06.pdf pdf_icon

D80N06

PTD80N06 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D % 100 Avalanche Tested Application G S Power Supply TO-252 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (TA=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... D18N20, D25N10, D5N65-XAD, D630, D640, D740, D7N60, D7N70, IRF630, D8N50, D9N65, 18P10, 18P10B, 18P10D, 18P10E, 18P10F, 18P10I