Справочник MOSFET. D80N06

 

D80N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: D80N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для D80N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D80N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1315K  cn wxdh
 80n06 f80n06 i80n06 e80n06 b80n06 d80n06.pdf pdf_icon

D80N06

80N06/F80N06/I80N06/E80N06/B80N06/D80N0680A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 60VUsed advanced trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 7mDS(on) (Type)Gthe RoHS standard.1ID = 80A3 S2 Features Fast Switching High avalanche C

 0.1. Size:260K  semihow
 hrld80n06k hrlu80n06k.pdf pdf_icon

D80N06

June 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRLD80N06K / HRLU80N06K ID = 80 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD80N06K HRLU80N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 0.2. Size:266K  semihow
 hrd80n06k hru80n06k.pdf pdf_icon

D80N06

Sep 2014BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD80N06K / HRU80N06K ID = 114 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD80N06K HRU80N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.

 0.3. Size:3557K  cn puolop
 ptd80n06.pdf pdf_icon

D80N06

PTD80N0660V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D% 100 Avalanche TestedApplicationG S Power SupplyTO-252 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (TA=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FXN65S55T

 

 
Back to Top

 


 
.