Справочник MOSFET. DCC016M120G3

 

DCC016M120G3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DCC016M120G3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 556 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для DCC016M120G3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC016M120G3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:787K  cn wxdh
 dcc016m120g3.pdf pdf_icon

DCC016M120G3

DCC016M120G31200V/16m/110A SiC MOSFETFeatures Key ParametersVDS Higher System Efficiency 1200VRDS(on)typ Reduced Cooling Requirements 16mID 175 operating temperature 110A Increased Power Density Vth 2.5V Increased System Switching FrequencyApplications Solar and UPS inverters Power Supplies High Voltage DC/DC Converters Switch Mode

 3.1. Size:2836K  cn wxdh
 dcc016m120g2 dccf016m120g2.pdf pdf_icon

DCC016M120G3

DCC016M120G2/DCCF016M120G2 120A 1200V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequ

Другие MOSFET... CMP3006-VB , 2N3368 , 2N3369 , 2N3370 , DH020N03F , DH020N03I , DH020N03P , DCC016M120G2 , IRF530 , DCC020M65G2 , DCC030M120G2 , DCC040M65G2 , DCC060M65G2 , DCC075M120G2C , DCC080M120A , DCC160M120G1 , DCCF016M120G2 .

History: HSS3400A | SSM4500GM

 

 
Back to Top

 


 
.