DCC016M120G3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DCC016M120G3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 556 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TO247-4

Аналог (замена) для DCC016M120G3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC016M120G3 даташит

 ..1. Size:787K  cn wxdh
 dcc016m120g3.pdf pdf_icon

DCC016M120G3

DCC016M120G3 1200V/16m /110A SiC MOSFET Features Key Parameters VDS Higher System Efficiency 1200V RDS(on)typ Reduced Cooling Requirements 16m ID 175 operating temperature 110A Increased Power Density Vth 2.5V Increased System Switching Frequency Applications Solar and UPS inverters Power Supplies High Voltage DC/DC Converters Switch Mode

 3.1. Size:2836K  cn wxdh
 dcc016m120g2 dccf016m120g2.pdf pdf_icon

DCC016M120G3

DCC016M120G2/DCCF016M120G2 120A 1200V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequ

Другие IGBT... CMP3006-VB, 2N3368, 2N3369, 2N3370, DH020N03F, DH020N03I, DH020N03P, DCC016M120G2, IRF1010E, DCC020M65G2, DCC030M120G2, DCC040M65G2, DCC060M65G2, DCC075M120G2C, DCC080M120A, DCC160M120G1, DCCF016M120G2