Справочник MOSFET. HUF76407DKF085

 

HUF76407DKF085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF76407DKF085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76407DKF085 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:266K  fairchild semi
huf76407dk8.pdfpdf_icon

HUF76407DKF085

HUF76407DK8Data Sheet December 20013.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC MS-012AA Ultra Low On-ResistanceBRANDING DASH- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.105, VGS = 5V Simulation Models5- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models12- SPICE and SABER Thermal Impedanc

 4.2. Size:542K  fairchild semi
huf76407dk f085.pdfpdf_icon

HUF76407DKF085

HUFA76407DK8T_F085Data Sheet October 20103.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFeaturesPackagingJEDEC MS-012AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10VBRANDING DASH- rDS(ON) = 0.105, VGS = 5V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER 5Electrical Models- SPICE and SABER Thermal Impedance

 5.1. Size:149K  fairchild semi
huf76407d3st.pdfpdf_icon

HUF76407DKF085

HUF76407D3, HUF76407D3SData Sheet December 200111A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN DRAINSOURCE Ultra Low On-Resistance (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.092, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.107, VGS = 5VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and

 5.2. Size:234K  fairchild semi
huf76407d3 huf76407d3s.pdfpdf_icon

HUF76407DKF085

HUF76407D3, HUF76407D3SData Sheet December 200111A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN DRAINSOURCE Ultra Low On-Resistance (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.092, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.107, VGS = 5VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and

Другие MOSFET... FQS4901 , FCP25N60N , FQS4903 , FQT13N06 , FQT13N06L , FQT1N60C , HUF76413DKF085 , FQT1N80 , CEP83A3 , FQT3P20 , FQT4N20L , FDD14AN06LF085 , FQT4N25 , FQT5P10 , FQT7N10 , FDB14AN06LF085 , FQT7N10L .

History: 2SK2834-01 | 4N60KL-TMS-T | PMZ290UNE | IXTQ130N10T | SPP15P10PG

 

 
Back to Top

 


 
.