DH060N08I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH060N08I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH060N08I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH060N08I даташит

 ..1. Size:1336K  cn wxdh
 dh060n08 dh060n08f dh060n08i dh060n08e dh060n08b dh060n08d.pdf pdf_icon

DH060N08I

DH060N08/DH060N08F/DH060N08I DH060N08E/DH060N08B/DH060N08D 81A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 6.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 81A D 2 Features Low on resist

 7.1. Size:1032K  cn wxdh
 dh060n07b dh060n07d.pdf pdf_icon

DH060N08I

DH060N07B/DH060N07D 100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 5.7m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast sw

 7.2. Size:693K  cn wxdh
 dh060n03r.pdf pdf_icon

DH060N08I

DH060N03R 54A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 5.3m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 54A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Low revers

Другие IGBT... DHFSJ13N65, DHFSJ17N65, DHFSJ5N65, DH060N08, DH060N08B, DH060N08D, DH060N08E, DH060N08F, IRFB4227, DH065N04, DH065N04B, DH065N04D, DH065N04E, DH065N04F, DH065N04I, DH065N04P, DH065N06