Справочник MOSFET. DHS042N15

 

DHS042N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS042N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 124 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DHS042N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS042N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:964K  cn wxdh
 dhs042n15 dhs042n15e.pdf pdf_icon

DHS042N15

DHS042N15&DHS042N15E150A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFETV = 150VDSSutilizes advanced Split Gate Trench technology, which2 Dprovides excellent Rdson and low Gate charge at the sameR = 5.0mTO-220DS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.G1 R = 4.8mTO-263DS(on) (TYP)3 S

 7.1. Size:792K  cn wxdh
 dhs042n85p.pdf pdf_icon

DHS042N15

DHS042N85P108A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.5mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 108AD2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 9.1. Size:824K  cn wxdh
 dhs044n12 dhs044n12e.pdf pdf_icon

DHS042N15

DHS044N12/DHS044N12E160A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 3.7mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 160AD2 Features Low on resistance Low gate charge

 9.2. Size:819K  cn wxdh
 dhs044n12.pdf pdf_icon

DHS042N15

DHS044N12160A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFET2 DV = 120VDSSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichprovides excellent Rdson and low Gate charge at the sameGR = 3.7mDS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.13 SI = 160AD2 Features Low on resistance Low gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.