DSE028N10N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DSE028N10N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2710 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для DSE028N10N3
DSE028N10N3 Datasheet (PDF)
dsg030n10n3 dse028n10n3.pdf

DSG030N10N3/DSE028N10N3170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided2 Dexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 2.6mTO-220DS(on) (TYP)the RoHS standard.GR = 2.4mTO-263DS(on) (TYP)12 Features 3
dse026n10n3a.pdf

DSE026N10N3A 100V/2.2m/180A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 2.2m Low reverse transfer capacitances VTH 3VID(Silicon limit) 100% single pulse avalanche energy test 240AID (Package limit) 100% VDS test 180ACiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7035pFQgd 27nCApplication
dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m/240A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ.TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7mRDS(on)typ.TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3VIDSilicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364AIDPackage limit240A
dse026n10na dsg028n10na.pdf

DSE026N10NA&DSG028N10NA180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 2.4mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 2.2mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 180AD2
Другие MOSFET... DHS046N10E , DHS046N10F , DHS046N10I , DHS051N10P , DHS052N10 , DHS052N10B , DSE026N10N3A , DSE026N10NA , 8N60 , DSE043N14N , DSE047N08N3 , DSE050N14N , DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , DSE065N10L3A , DSE108N20NA .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG12N10D | AP90N06D | AP8P10S | AP80P01NF | AP80N08NF | AP80N08D | AP70N03DF | AP6G04S | AP50N06DF | AP3404MI | AP130N20MP | AP60N02BD | AP50N06Y | AP50N03S | AP4N06SI | AP3416AI
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet