DSE028N10N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSE028N10N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSE028N10N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE028N10N3 даташит

 ..1. Size:1192K  cn wxdh
 dsg030n10n3 dse028n10n3.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSG030N10N3/DSE028N10N3 170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 2.6m TO-220 DS(on) (TYP) the RoHS standard. G R = 2.4m TO-263 DS(on) (TYP) 1 2 Features 3

 9.1. Size:1479K  cn wxdh
 dse026n10n3a.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSE026N10N3A 100V/2.2m /180A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 2.2m Low reverse transfer capacitances VTH 3V ID(Silicon limit) 100% single pulse avalanche energy test 240A ID (Package limit) 100% VDS test 180A Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7035pF Qgd 27nC Application

 9.2. Size:1551K  cn wxdh
 dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m /240A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3V ID Silicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364A ID Package limit 240A

 9.3. Size:947K  cn wxdh
 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSE026N10NA&DSG028N10NA 180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 2.4m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 2.2m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 180A D 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DHS046N10E, DHS046N10F, DHS046N10I, DHS051N10P, DHS052N10, DHS052N10B, DSE026N10N3A, DSE026N10NA, IRF530, DSE043N14N, DSE047N08N3, DSE050N14N, DSE051N08N3, DSE054N10N3, DSE058N15NA, DSE065N10L3A, DSE108N20NA