DSE028N10N3 - аналоги и даташиты транзистора

 

DSE028N10N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DSE028N10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DSE028N10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE028N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  cn wxdh
 dsg030n10n3 dse028n10n3.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSG030N10N3/DSE028N10N3170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided2 Dexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 2.6mTO-220DS(on) (TYP)the RoHS standard.GR = 2.4mTO-263DS(on) (TYP)12 Features 3

 9.1. Size:1479K  cn wxdh
 dse026n10n3a.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSE026N10N3A 100V/2.2m/180A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 2.2m Low reverse transfer capacitances VTH 3VID(Silicon limit) 100% single pulse avalanche energy test 240AID (Package limit) 100% VDS test 180ACiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7035pFQgd 27nCApplication

 9.2. Size:1551K  cn wxdh
 dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m/240A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ.TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7mRDS(on)typ.TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3VIDSilicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364AIDPackage limit240A

 9.3. Size:947K  cn wxdh
 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSE028N10N3

DSE026N10NA&DSG028N10NA180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 2.4mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 2.2mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 180AD2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DHS046N10E , DHS046N10F , DHS046N10I , DHS051N10P , DHS052N10 , DHS052N10B , DSE026N10N3A , DSE026N10NA , 8N60 , DSE043N14N , DSE047N08N3 , DSE050N14N , DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , DSE065N10L3A , DSE108N20NA .

 

 
Back to Top

 


 
.