Справочник MOSFET. DHSJ21N65Z

 

DHSJ21N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHSJ21N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: PDFN4-8X8
 

 Аналог (замена) для DHSJ21N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHSJ21N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1012K  cn wxdh
 dhsj21n65z.pdf pdf_icon

DHSJ21N65Z

DHSJ21N65Z16A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is using advancedV = 650VDSSsuper junction technology and design to provide excellentRdson with low gate charge. Which accords with the RoHSR = 150mDS(on) (TYP)standard.I = 16 AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching Low re

 5.1. Size:1089K  cn wxdh
 dhsj21n65w.pdf pdf_icon

DHSJ21N65Z

DHSJ21N65W 21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced VDMOSFETs, is using 2 DV = 650V DSSadvanced super junction technology and design to provide excellent Rdson with low gate charge. Which accords with R = 150m DS(on) (TYP)Gthe RoHS standard. 1I = 21A 3 S D2 Features Fast switching Low on resistance

 9.1. Size:1064K  cn wxdh
 dhsj25n65f.pdf pdf_icon

DHSJ21N65Z

DHSJ25N65F25A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhanced vdmosfets, is using advancedV = 650VDSSsuper junction technology and design to provide excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR = 110mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = 25AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge Low reve

Другие MOSFET... DHS065N85E , DHS065N85F , DHS065N85I , DHS065N85P , DHSJ11N65 , DHSJ13N65 , DHSJ17N65 , DHSJ21N65W , IRFP260N , DHSJ25N65F , DSE012N04NA , DSE022N10N3 , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.