JMSH0606AKQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0606AKQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMSH0606AKQ
JMSH0606AKQ Datasheet (PDF)
jmsh0606akq.pdf
JMSH0606AKQ60V 4.4m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 95 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-252-3L T
jmsh0606ak.pdf
JMSH0606AK60V 4.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom
jmsh0606ag.pdf
JMSH0606AG60V 3.7m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 98 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom
jmsh0606au.pdf
JMSH0606AU60V 4.6m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low RDS(ON) Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 62 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.6 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom
Другие MOSFET... JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , EMB04N03H , JMSH0606AU , JMSH0606PC , JMSH0606PG , JMSH0606PGD , JMSH0606PGDQ , JMSH0606PGQ , JMSH0606PK , JMSH0606PU .
History: UM6J1N | VB7638
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet






