Справочник MOSFET. HUFA76419D3S

 

HUFA76419D3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA76419D3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76419D3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  fairchild semi
hufa76419d3s.pdfpdf_icon

HUFA76419D3S

HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER

 3.1. Size:197K  fairchild semi
hufa76419d3-s hufa76419d f085.pdfpdf_icon

HUFA76419D3S

HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER

 3.2. Size:196K  fairchild semi
hufa76419d3.pdfpdf_icon

HUFA76419D3S

HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER

 5.1. Size:213K  fairchild semi
hufa76419p3 hufa76419s3s hufa76419s3st.pdfpdf_icon

HUFA76419D3S

HUFA76419P3, HUFA76419S3SData Sheet December 200127A, 60V, 0.040 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.035, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE - rDS(ON) = 0.040, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

Другие MOSFET... HUFA75307T3ST , HUFA75321D3S , HUFA75344S3 , HUFA75639S3S , FDD86110 , HUFA76407DK8TF085 , HUFA76409D3ST , HUFA76413DK8TF085 , 5N60 , HUFA76429D3 , HUFA76429D3STF085 , HUFA76645S3STF085 , FDMS8018 , MTP3055VL , NDC7001C , FDMB2307NZ , NDS331N .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.