Справочник MOSFET. MTP3055VL

 

MTP3055VL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP3055VL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3055VL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  motorola
mtp3055vl.pdfpdf_icon

MTP3055VL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3055VL/DDesigner's Data SheetMTP3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

 ..2. Size:42K  fairchild semi
mtp3055vl.pdfpdf_icon

MTP3055VL

June 2000DISTRIBUTION GROUP*MTP3055VLN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesGeneral Description 12 A, 60 V. RDS(ON) = 0.18 @ VGS = 5 VThis N-Channel Logic Level MOSFET has been designedspecifically for low voltage, high speed switching Critical DC electrical parameters specified at elevatedapplications i.e. power supplies and power mo

 0.1. Size:161K  motorola
mtp3055vlrev2a.pdfpdf_icon

MTP3055VL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3055VL/DDesigner's Data SheetMTP3055VLTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTS

 6.1. Size:160K  motorola
mtp3055vrev2a.pdfpdf_icon

MTP3055VL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3055V/DDesigner's Data SheetMTP3055VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETTMOS V is a new technology designed to achieve an onresis- 12 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS

Другие MOSFET... HUFA76407DK8TF085 , HUFA76409D3ST , HUFA76413DK8TF085 , HUFA76419D3S , HUFA76429D3 , HUFA76429D3STF085 , HUFA76645S3STF085 , FDMS8018 , P60NF06 , NDC7001C , FDMB2307NZ , NDS331N , RFD14N05SM9A , SI3443DV , SI4532DY , FDMA905P , FDME905PT .

History: APQ04SN60A | 12N65KL-TF1-T | BRCS070N03DP | HCFL70R360 | 2SK402 | AP65PN2R6H | SSF2N60D

 

 
Back to Top

 


 
.