Справочник MOSFET. DMG3420U

 

DMG3420U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG3420U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.47 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 434.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMG3420U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG3420U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  diodes
dmg3420u.pdfpdf_icon

DMG3420U

DMG3420UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminals: Finish Matte Tin a

 ..2. Size:204K  tysemi
dmg3420u.pdfpdf_icon

DMG3420U

Product specificationDMG3420UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID max Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Fast Switching Speed 21m @ VGS = 10V 6.5A Low Input/Output Leakage 20V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)25m @ VGS = 4.5V 5.2A Halogen and Antimony Free

 0.1. Size:2333K  cn vbsemi
dmg3420u-7.pdfpdf_icon

DMG3420U

DMG3420U-7www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

 9.1. Size:525K  diodes
dmg3404l.pdfpdf_icon

DMG3420U

DMG3404L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Max V(BR)DSS RDS(ON) Max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 5.8A 25m @ VGS = 10V Low Input/Output Leakage 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 35m @ VGS = 4.5V 4.8A Halogen and Antimony Free.

Другие MOSFET... FDC8886 , FCP190N60 , SSN1N45B , DMG1012T , DMG1012UW , DMG1024UV , DMG2302U , DMG3414U , 7N60 , DMG5802LFX , DMG6898LSD , DMG6968U , DMG6968UDM , DMG6968UTS , DMG8601UFG , DMG8822UTS , DMG9926UDM .

History: SSFN3313 | STL11N3LLH6 | 16N60A | SIR876ADP | HB3710P | WMK028N10HGS | SI4435DY

 

 
Back to Top

 


 
.