JMTQ380C03D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMTQ380C03D
Маркировка: Q380C03D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ
- Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
Qg ⓘ -
Общий заряд затвора: 3 nC
tr ⓘ -
Время нарастания: 2.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D
Аналог (замена) для JMTQ380C03D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMTQ380C03D даташит
..1. Size:518K jiejie micro
jmtq380c03d.pdf 
JMTQ380C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 6A Battery Protection R
9.1. Size:627K 1
jmtq35n06a.pdf 
JMTQ35N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,35A Load Switch R
9.3. Size:628K jiejie micro
jmtq3010d.pdf 
JMTQ3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 22A Load Switch RDS(ON)
9.4. Size:1237K jiejie micro
jmtq3005c.pdf 
30V, 61A, 5.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3005C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 61 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.4 mW Applications Load Switch PW
9.5. Size:1240K jiejie micro
jmtq3008a.pdf 
30V, 41A, 8.8m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3008A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 41 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.8 mW Applications Load Switch PW
9.6. Size:1238K jiejie micro
jmtq320n10a.pdf 
100V, 23A, 24.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ320N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 23 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 22.5 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 24.4 mW Applications Load Switch
9.7. Size:1120K jiejie micro
jmtq3005a.pdf 
JMTQ3005A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications l 30V, 50A l Load Switch RDS(ON)
9.8. Size:1313K jiejie micro
jmtq3006c.pdf 
30V, 52A, 6.1m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3006C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 52 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.1 mW Applications Load Switch PW
9.9. Size:792K jiejie micro
jmtq3003a.pdf 
JMTQ3003A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 80A Load Switch RDS(ON)
9.10. Size:1240K jiejie micro
jmtq3400d.pdf 
30V, 40A, 11.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ3400D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11.3 mW Applications Load Switch
9.11. Size:485K jiejie micro
jmtq3006b.pdf 
JMTQ3006B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 40A Load Switch RDS(ON)
Другие IGBT... JMTQ3005A, JMTQ3005C, JMTQ3006B, JMTQ3006C, JMTQ3008A, JMTQ3010D, JMTQ320N10A, JMTQ3400D, AOD4184A, JMTQ4407A, JMTQ440P04A, JMTQ60N04B, JMTQ90N02A, JMSL0403AG, JMSL0403AGQ, JMSL0403AU, JMSL0403PG
