Справочник MOSFET. JMTQ380C03D

 

JMTQ380C03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTQ380C03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMTQ380C03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ380C03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  jiejie micro
jmtq380c03d.pdfpdf_icon

JMTQ380C03D

JMTQ380C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 6A Battery ProtectionR

 9.1. Size:627K  1
jmtq35n06a.pdfpdf_icon

JMTQ380C03D

JMTQ35N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,35A Load Switch R

 9.2. Size:1288K  jiejie micro
jmtq35n06a.pdfpdf_icon

JMTQ380C03D

60V, 35A, 14.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ35N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 35 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 12.0 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 14.3 mWApplications Load Switch

 9.3. Size:628K  jiejie micro
jmtq3010d.pdfpdf_icon

JMTQ380C03D

JMTQ3010DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 22A Load SwitchRDS(ON)

Другие MOSFET... JMTQ3005A , JMTQ3005C , JMTQ3006B , JMTQ3006C , JMTQ3008A , JMTQ3010D , JMTQ320N10A , JMTQ3400D , HY1906P , JMTQ4407A , JMTQ440P04A , JMTQ60N04B , JMTQ90N02A , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.