DMN26D0UFB4
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN26D0UFB4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.23
A
Cossⓘ - Выходная емкость: 14.1
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3
Ohm
Тип корпуса: X2DFN10063
Аналог (замена) для DMN26D0UFB4
DMN26D0UFB4
Datasheet (PDF)
..1. Size:122K diodes
dmn26d0ufb4.pdf 
DMN26D0UFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET Case: DFN1006H4-3 Low On-Resistance: Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 3.0 @ 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 4.0 @ 2.5V Terminal Connections: See Diag
6.1. Size:325K diodes
dmn26d0udj.pdf 
DMN26D0UDJ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C Low On-Resistance: 3.0 @ VGS= 4.5V 240mA 3.0@ 4.5V 20V 180mA 6.0 @ VGS= 1.8V 4.0@ 2.5V 6.0@1.8V 10@1.5V Description Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max This new
6.2. Size:145K diodes
dmn26d0ut.pdf 
DMN26D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-523 3.0 @ 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 4.0 @ 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 6.0 @ 1.8V
Другие MOSFET... DMN2215UDM
, DMN2230U
, DMN2300U
, DMN2300UFB
, DMN2300UFB4
, DMN2400UFB4
, DMN2400UV
, DMN26D0UDJ
, IRFP460
, DMN26D0UT
, DMN2990UDJ
, ZXM61N02F
, ZXM62N02E6
, ZXM64N02X
, ZXMD63N02X
, ZXMN2088DE6
, ZXMN2A01E6
.
