ZXMN2B03E6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2B03E6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для ZXMN2B03E6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2B03E6 даташит

 ..1. Size:585K  diodes
 zxmn2b03e6.pdf pdf_icon

ZXMN2B03E6

ZXMN2B03E6 20V SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.040 @ VGS= 4.5V 5.4 0.055 @ VGS= 2.5V 4.6 20 0.075 @ VGS= 1.8V 4.0 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching speed G Low ga

 0.1. Size:582K  zetex
 zxmn2b03e6ta.pdf pdf_icon

ZXMN2B03E6

ZXMN2B03E6 20V SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.040 @ VGS= 4.5V 5.4 0.055 @ VGS= 2.5V 4.6 20 0.075 @ VGS= 1.8V 4.0 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching speed G Low ga

 7.1. Size:391K  diodes
 zxmn2b01f.pdf pdf_icon

ZXMN2B03E6

ZXMN2B01F 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.100 @ VGS= 4.5V 2.4 0.150 @ VGS= 2.5V 2.0 20 0.200 @ VGS= 1.8V 1.7 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching speed G Low gate

 7.2. Size:102K  tysemi
 zxmn2b01f.pdf pdf_icon

ZXMN2B03E6

Product specification ZXMN2B01F 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A) 0.100 @ VGS= 4.5V 2.4 0.150 @ VGS= 2.5V 2.0 20 0.200 @ VGS= 1.8V 1.7 Description This new generation trench MOSFET from TY features low on- resistance achievable with low gate drive. Features D Low on-resistance Fast switching spe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN2A01F, ZXMN2A02N8, ZXMN2A02X8, ZXMN2A03E6, ZXMN2A04DN8, ZXMN2A14F, ZXMN2AMC, ZXMN2B01F, IRFP250N, ZXMN2B14FH, ZXMN2F30FH, ZXMN2F34FH, ZXMN2F34MA, DMG4466SSS, DMG4466SSSL, DMG4468LFG, DMG4468LK3