ZXMN2F34MA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN2F34MA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: DFN322

Аналог (замена) для ZXMN2F34MA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2F34MA даташит

 ..1. Size:407K  diodes
 zxmn2f34ma.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

ZXMN2F34MA 20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322 Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.060 @ VGS= 4.5V 8.5 0.120 @ VGS= 2.5V Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devices Features D Low

 0.1. Size:404K  zetex
 zxmn2f34mata.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

ZXMN2F34MA 20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322 Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.060 @ VGS= 4.5V 8.5 0.120 @ VGS= 2.5V Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devices Features D Low

 6.1. Size:407K  diodes
 zxmn2f34fh.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

ZXMN2F34FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.060 @ VGS= 4.5V 4.0 0.120 @ VGS= 2.5V 2.9 Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. Features D Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 package G Applications S Buck/Boost DC-

 6.2. Size:106K  tysemi
 zxmn2f34fh.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

Product specification ZXMN2F34FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 20 0.060 @ VGS= 4.5V 4.0 0.120 @ VGS= 2.5V 2.9 Description This new generation Trench MOSFET from TY features low on- resistance achievable with low (2.5V) gate drive. Features D Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 package G Applications S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ZXMN2A04DN8, ZXMN2A14F, ZXMN2AMC, ZXMN2B01F, ZXMN2B03E6, ZXMN2B14FH, ZXMN2F30FH, ZXMN2F34FH, 2SK3878, DMG4466SSS, DMG4466SSSL, DMG4468LFG, DMG4468LK3, DMG4496SSS, DMG4800LFG, DMG4800LK3, DMG4800LSD