Справочник MOSFET. ZXMN2F34MA

 

ZXMN2F34MA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN2F34MA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: DFN322
 

 Аналог (замена) для ZXMN2F34MA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2F34MA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  diodes
 zxmn2f34ma.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

ZXMN2F34MA20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322SummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 8.50.120 @ VGS= 2.5VDescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive. The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devicesFeaturesD Low

 0.1. Size:404K  zetex
 zxmn2f34mata.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

ZXMN2F34MA20V N-channel enhancement mode MOSFET in DFN322SummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 8.50.120 @ VGS= 2.5VDescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive. The 2mm x 2mm DFN package provides superior thermal performance versus alternative leaded devicesFeaturesD Low

 6.1. Size:407K  diodes
 zxmn2f34fh.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

ZXMN2F34FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 4.00.120 @ VGS= 2.5V 2.9DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplicationsS Buck/Boost DC-

 6.2. Size:106K  tysemi
 zxmn2f34fh.pdf pdf_icon

ZXMN2F34MA

Product specificationZXMN2F34FH20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)20 0.060 @ VGS= 4.5V 4.00.120 @ VGS= 2.5V 2.9DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with low (2.5V) gate drive.FeaturesD Low on-resistance 2.5V gate drive capability SOT23 packageGApplicationsS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN2A04DN8 , ZXMN2A14F , ZXMN2AMC , ZXMN2B01F , ZXMN2B03E6 , ZXMN2B14FH , ZXMN2F30FH , ZXMN2F34FH , IRFP260 , DMG4466SSS , DMG4466SSSL , DMG4468LFG , DMG4468LK3 , DMG4496SSS , DMG4800LFG , DMG4800LK3 , DMG4800LSD .

History: IRFP31N50L | TPB65R260M | AOSP21321

 

 
Back to Top

 


 
.