MDT80N06D - описание и поиск аналогов

 

MDT80N06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDT80N06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для MDT80N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT80N06D даташит

 ..1. Size:544K  cn minos
 mpg80n06p mdt80n06d.pdf pdf_icon

MDT80N06D

60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG80N06 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 80A DS D R

 ..2. Size:511K  cn minos
 mdt80n06d.pdf pdf_icon

MDT80N06D

60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MDT80N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a DS(ON) wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 80A DS D R

 9.1. Size:116K  utc
 mmdt8050s.pdf pdf_icon

MDT80N06D

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMDT8050S Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VCESAT NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MMDT8050S is a Dual NPN epitaxial planar transistor. It has low VCE(sat) performance, and the transistor elements are independent, eliminating interference. FEATURES * Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typ.)@IC / IB = 50mA / 2.5mA

Другие MOSFET... MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , MDT40P10D , STP80NF70 , MP13N50 , MP5N50 , MPF4N65 , MPF7N65 , MPG100N03P , MPG100N06 , MDT100N06 , MPS100N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.