IRLR024NTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLR024NTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRLR024NTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR024NTR даташит

 ..1. Size:962K  cn minos
 irlr024ntr.pdf pdf_icon

IRLR024NTR

60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The IRLR024NTR uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS VDS = 60V,ID= 30A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:312K  international rectifier
 auirlr024ntr.pdf pdf_icon

IRLR024NTR

PD- 96348 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR024N AUIRLU024N Features Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET Low On-Resistance D Logic-Level Gate Drive V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.065 Fast Switching G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 17A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qual

 6.1. Size:490K  international rectifier
 auirlr024n auirlu024n.pdf pdf_icon

IRLR024NTR

AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

 6.2. Size:308K  international rectifier
 irlr024npbf irlu024npbf.pdf pdf_icon

IRLR024NTR

PD- 95081A IRLR024NPbF IRLU024NPbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55V l Straight Lead (IRLU024N) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.065 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = 17A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techni

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08, MPT65N08S, P80NF70, AO3400S, AO3401S, STP65NF06, K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25, MD40N25, MD9N90, MDP18N20