AP80N08D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP80N08D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP80N08D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP80N08D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N08D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2412K  cn apm
 ap80n08d.pdf pdf_icon

AP80N08D

AP80N08D 80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N08D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 80V I =80A DS DR

 7.1. Size:3601K  cn apm
 ap80n08nf.pdf pdf_icon

AP80N08D

AP80N08NF 80V N- Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N08NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 80V I =80A DS DR

 8.1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N08D

 8.2. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N08D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , NCEP15T14 , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.