AP3400MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3400MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3400MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP3400MI

 

AP3400MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2282K  cn apm
 ap3400mi.pdf pdf_icon

AP3400MI

AP3400MI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3400MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =5.8A DS D R

 0.1. Size:1265K  cn apm
 ap3400mi-l.pdf pdf_icon

AP3400MI

AP3400MI-L 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3400MI-LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =5.8A DS D R

 8.1. Size:1869K  allpower
 ap3400.pdf pdf_icon

AP3400MI

 8.2. Size:1290K  allpower
 ap3400s.pdf pdf_icon

AP3400MI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , IRF1405 , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF .

History: TK80S06K3L | ME4953 | UPA2701GR | AP2302AI

 

 
Back to Top

 


 
.