DMN3052LSS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3052LSS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для DMN3052LSS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3052LSS даташит

 ..1. Size:170K  diodes
 dmn3052lss.pdf pdf_icon

DMN3052LSS

DMN3052LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 30m @ VGS = 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 40m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

 6.1. Size:159K  diodes
 dmn3052l.pdf pdf_icon

DMN3052LSS

DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 RDS(ON)

 6.2. Size:91K  tysemi
 dmn3052l.pdf pdf_icon

DMN3052LSS

Product specification DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 RDS(ON)

 8.1. Size:193K  diodes
 dmn3051l.pdf pdf_icon

DMN3052LSS

DMN3051L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN3030LSS, DMN3031LSS, DMN3033LDM, DMN3033LSD, DMN3033LSN, DMN3051L, DMN3051LDM, DMN3052L, IRFP250, DMN3112S, DMN3112SSS, DMN3115UDM, DMN3150L, DMN3150LW, DMN3200U, DMN32D2LDF, DMN32D2LFB4