Справочник MOSFET. DMN3052LSS

 

DMN3052LSS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN3052LSS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3052LSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  diodes
dmn3052lss.pdfpdf_icon

DMN3052LSS

DMN3052LSSSINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 30m @ VGS = 10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 40m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 6.1. Size:159K  diodes
dmn3052l.pdfpdf_icon

DMN3052LSS

DMN3052LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-23RDS(ON)

 6.2. Size:91K  tysemi
dmn3052l.pdfpdf_icon

DMN3052LSS

Product specificationDMN3052LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-23RDS(ON)

 8.1. Size:193K  diodes
dmn3051l.pdfpdf_icon

DMN3052LSS

DMN3051LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-23 RDS(ON)

Другие MOSFET... DMN3030LSS , DMN3031LSS , DMN3033LDM , DMN3033LSD , DMN3033LSN , DMN3051L , DMN3051LDM , DMN3052L , IRF2807 , DMN3112S , DMN3112SSS , DMN3115UDM , DMN3150L , DMN3150LW , DMN3200U , DMN32D2LDF , DMN32D2LFB4 .

 

 
Back to Top

 


 
.