AP6P04S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6P04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6P04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP6P04S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6P04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1762K  cn apm
 ap6p04s.pdf pdf_icon

AP6P04S

AP6P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-6.0A DS DR

 9.1. Size:181K  ape
 ap6p064i.pdf pdf_icon

AP6P04S

AP6P064IHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID4 -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6P064 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

 9.2. Size:168K  ape
 ap6p064j.pdf pdf_icon

AP6P04S

AP6P064JHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 64m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6P064 series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the low

 9.3. Size:182K  ape
 ap6p070i.pdf pdf_icon

AP6P04S

AP6P070IHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS -60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 70m Fast Switching Characteristic ID4 -16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6P070 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP8P06S , AP90N08NF , AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , IRF840 , AP8G06S , APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F , APJ30N65P , APJ30N65T , APJ50N65F .

History: 4N80G-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.