AP10P10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP10P10D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP10P10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10P10D даташит

 ..1. Size:1578K  cn apm
 ap10p10d.pdf pdf_icon

AP10P10D

AP10P10D -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10P10D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-10A DS D R

 7.1. Size:101K  ape
 ap10p10gh j-hf.pdf pdf_icon

AP10P10D

AP10P10GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -100V Lower Gate Charge RDS(ON) 500m Fast Switching Characteristic ID -5.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G D S combination of fast switch

 7.2. Size:201K  ape
 ap10p10gj.pdf pdf_icon

AP10P10D

AP10P10GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Lower Gate Charge RDS(ON) 500m Fast Switching Characteristic ID -5.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G D S combination of fast switchi

 7.3. Size:54K  ape
 ap10p10gk-hf.pdf pdf_icon

AP10P10D

AP10P10GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -100V D Lower Gate Charge RDS(ON) 500m S Fast Switching Characteristic ID - 1.65A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D AP10P10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP10N06S, AP10N10D, AP10N10S, AP10N15D, AP10N65F, AP10N65P, AP10P04D, AP10P06MSI, K3569, AP120N04P, AP120N04T, AP120N06P, AP120N06T, AP120N08P, AP120N08T, AP12N40F, AP12N40P