AP80P06P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP80P06P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP80P06P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP80P06P даташит
ap80p06p ap80p06t.pdf
AP80P06PIT -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80P06P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 6V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-82A DS D R
ap80p06d.pdf
AP80P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 6V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-80A DS D R
ap80p06nf.pdf
AP80P06NF -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80P06NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 6V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-80A DS D R
Другие IGBT... AP7N65D, AP7N65Y, AP7N65F, AP7N65P, AP80N07P, AP80N07T, AP80N10P, AP80N10T, 13N50, AP80P06T, AP80P10P, AP80P10T, AP85N08BP, AP85N08BT, AP90N06P, AP90N06T, AP9N90F
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AP4N65D | DH019N04 | LSD07N80A-VB | D4N70
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent







