AP120N04D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP120N04D. Основные параметры


   Наименование производителя: AP120N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 899 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP120N04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP120N04D даташит

 ..1. Size:1486K  cn apm
 ap120n04d.pdf pdf_icon

AP120N04D

AP120N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =120 A DS D R

 6.1. Size:680K  allpower
 ap120n04k.pdf pdf_icon

AP120N04D

 6.2. Size:1322K  cn apm
 ap120n04p ap120n04t.pdf pdf_icon

AP120N04D

AP120N04PIT 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N04P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =120 A DS D R

 6.3. Size:1545K  cn apm
 ap120n04t.pdf pdf_icon

AP120N04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP90N06T , AP9N90F , AP9N90P , AP9N90T , AP110N04D , AP120N02D , AP120N03D , AP120N03NF , AON7506 , AP120N08NF , AP120N10NF , AP120P03D , AP12N06S , AP12N10Y , AP12P04S , AP13P06D , AP13P06Y .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.