AP80N04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP80N04D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP80N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N04D даташит

 ..1. Size:1651K  cn apm
 ap80n04d.pdf pdf_icon

AP80N04D

AP80N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS D R

 0.1. Size:1407K  cn apm
 ap80n04df.pdf pdf_icon

AP80N04D

AP80N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS D R

 7.1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N04D

 7.2. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APG130N06NF, AP7P15D, AP7P15Y, AP80N02DF, AP80N02NF, AP80N03D, AP80N03DF, AP80N03NF, IRFZ44N, AP80N04DF, AP80N06NF, AP80N07D, AP80N07F, AP80P04D, AP80P04NF, AP80P06D, AP150N03D