AP80N04D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP80N04D. Основные параметры


   Наименование производителя: AP80N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP80N04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N04D даташит

 ..1. Size:1651K  cn apm
 ap80n04d.pdf pdf_icon

AP80N04D

AP80N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS D R

 0.1. Size:1407K  cn apm
 ap80n04df.pdf pdf_icon

AP80N04D

AP80N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS D R

 7.1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N04D

 7.2. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APG130N06NF , AP7P15D , AP7P15Y , AP80N02DF , AP80N02NF , AP80N03D , AP80N03DF , AP80N03NF , IRF3205 , AP80N04DF , AP80N06NF , AP80N07D , AP80N07F , AP80P04D , AP80P04NF , AP80P06D , AP150N03D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.