AP15P04D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP15P04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP15P04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15P04D даташит

 ..1. Size:1538K  cn apm
 ap15p04d.pdf pdf_icon

AP15P04D

AP15P04D -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15A DS D R

 7.1. Size:2066K  cn apm
 ap15p04s.pdf pdf_icon

AP15P04D

AP15P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-15.8A DS D R

 8.1. Size:1544K  1
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P04D

 8.2. Size:1544K  allpower
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P04D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP15G03NF, AP15N02S, AP15N06S, AP15N10D, AP15N10D-L, AP15N10S, AP15N10Y, AP15N12D, 2N7000, AP15P06D, AP2300AI, AP2300MI, AP2301BI, AP2302CI, AP2305AI, AP2305BI, AP2305MI