AP15P06D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP15P06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP15P06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP15P06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15P06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1573K  cn apm
 ap15p06d.pdf pdf_icon

AP15P06D

AP15P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-18.8A DS DR

 0.1. Size:1789K  cn apm
 ap15p06df.pdf pdf_icon

AP15P06D

AP15P06DF -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-15A DS DR

 8.1. Size:1544K  1
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P06D

 8.2. Size:1544K  allpower
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P06D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP15N02S , AP15N06S , AP15N10D , AP15N10D-L , AP15N10S , AP15N10Y , AP15N12D , AP15P04D , P55NF06 , AP2300AI , AP2300MI , AP2301BI , AP2302CI , AP2305AI , AP2305BI , AP2305MI , AP2307AI .

History: STD60N55F3 | EC4953 | DMTH6004SCT

 

 
Back to Top

 


 
.