AP15P06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP15P06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP15P06D
AP15P06D Datasheet (PDF)
ap15p06d.pdf

AP15P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-18.8A DS DR
ap15p06df.pdf

AP15P06DF -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-15A DS DR
Другие MOSFET... AP15N02S , AP15N06S , AP15N10D , AP15N10D-L , AP15N10S , AP15N10Y , AP15N12D , AP15P04D , 2SK3878 , , , , , , , , .
History: AP15N10D-L
History: AP15N10D-L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP15P06D | AP15P04D | AP15N12D | AP15N10Y | AP15N10S | AP15N10D-L | AP15N10D | AP15N06S | AP15N02S | AP15G03NF | AP15G03DF | AP150P03NF | AP150N04D | AP150N03NF | AP150N03D | AP80P06D
Popular searches
mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188