AP2320MI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2320MI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2320MI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2320MI даташит

 ..1. Size:1420K  cn apm
 ap2320mi.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2320MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =8A DS D R

 8.1. Size:146K  ape
 ap2320gn.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320GN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

 8.2. Size:55K  ape
 ap2320n-hf.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320N-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 8.3. Size:54K  ape
 ap2320gn-hf.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2305MI, AP2307AI, AP2307MI, AP2311AI, AP2311MI, AP2312AI, AP2312MI, AP2313MI, IRFP260, AP4N10MI, AP4N15MI, AP4P05MI, AP50G03GD, AP50H06NF, AP50N03AD, AP50N03D, AP50N03DF