AP2320MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2320MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2320MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2320MI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2320MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1420K  cn apm
 ap2320mi.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2320MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =8A DS DR

 8.1. Size:146K  ape
 ap2320gn.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320GNHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2320 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

 8.2. Size:55K  ape
 ap2320n-hf.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320N-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2320 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

 8.3. Size:54K  ape
 ap2320gn-hf.pdf pdf_icon

AP2320MI

AP2320GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2305MI , AP2307AI , AP2307MI , AP2311AI , AP2311MI , AP2312AI , AP2312MI , AP2313MI , 4435 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.