AP2320MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP2320MI
Маркировка: 2320
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для AP2320MI
AP2320MI Datasheet (PDF)
ap2320mi.pdf
AP2320MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2320MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =8A DS DR
ap2320gn.pdf
AP2320GNHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2320 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe
ap2320n-hf.pdf
AP2320N-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2320 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo
ap2320gn-hf.pdf
AP2320GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resist
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF9540 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM3400E | AGM325ME | AGM320M | AGM318MN | AGM318MBP | AGM318MAP | AGM318D | AGM315MN | AGM315MBP | AGM314MD | AGM314MAP | AGM314MA | AGM312ME | AGM312MAP | AGM312M2 | AGM312M1
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor





