AP85N04NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP85N04NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP85N04NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85N04NF даташит

 ..1. Size:1830K  cn apm
 ap85n04nf.pdf pdf_icon

AP85N04NF

AP85N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =100 A DS D R

 7.1. Size:650K  allpower
 ap85n04k.pdf pdf_icon

AP85N04NF

 7.2. Size:575K  allpower
 ap85n04q.pdf pdf_icon

AP85N04NF

 7.3. Size:2065K  allpower
 ap85n04g.pdf pdf_icon

AP85N04NF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP50N06D, AP50N06NF, AP50N10D, AP50N10P, AP50N20MP, AP80P10D, AP8205A-21, AP8205S, AO4407, AP8814A, AP8H04DF, AP8H04S, AP8H06S, AP8N06SI, AP8N10MI, AP8P04MI, AP8P04S