AP15P06DF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP15P06DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP15P06DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP15P06DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15P06DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1789K  cn apm
 ap15p06df.pdf pdf_icon

AP15P06DF

AP15P06DF -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-15A DS DR

 6.1. Size:1573K  cn apm
 ap15p06d.pdf pdf_icon

AP15P06DF

AP15P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-18.8A DS DR

 8.1. Size:1544K  1
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P06DF

 8.2. Size:1544K  allpower
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P06DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP8H06S , AP8N06SI , AP8N10MI , AP8P04MI , AP8P04S , AP8V06S , AP90N02D , AP90N02NF , 20N50 , AP15P10D , AP16P01BF , AP16P02S , AP180N03D , AP180N04NF , AP180N10MP , AP18N03D , AP18P20P .

History: APM2300CA | BSZ010NE2LS5 | JFQM3N120E | BSZ011NE2LS5I | EN2305 | STF445 | 2SK3454

 

 
Back to Top

 


 
.