AP15P06DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP15P06DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для AP15P06DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15P06DF даташит

 ..1. Size:1789K  cn apm
 ap15p06df.pdf pdf_icon

AP15P06DF

AP15P06DF -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-15A DS D R

 6.1. Size:1573K  cn apm
 ap15p06d.pdf pdf_icon

AP15P06DF

AP15P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-18.8A DS D R

 8.1. Size:1544K  1
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P06DF

 8.2. Size:1544K  allpower
 ap15p03q.pdf pdf_icon

AP15P06DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP8H06S, AP8N06SI, AP8N10MI, AP8P04MI, AP8P04S, AP8V06S, AP90N02D, AP90N02NF, 20N50, AP15P10D, AP16P01BF, AP16P02S, AP180N03D, AP180N04NF, AP180N10MP, AP18N03D, AP18P20P