AP15P10D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP15P10D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP15P10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP15P10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15P10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1464K  cn apm
ap15p10d.pdfpdf_icon

AP15P10D

AP15P10D -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15P10D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-15A DS DR

 7.1. Size:100K  ape
ap15p10gh-hf ap15p10gj-hf.pdfpdf_icon

AP15P10D

AP15P10GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 230m Fast Switching Characteristic ID -15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial STO-252(H)surface mount app

 7.2. Size:236K  ape
ap15p10gh.pdfpdf_icon

AP15P10D

AP15P10GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 230m Fast Switching Characteristic ID -15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP15P10 series are from Advanced Power innovated design and silicon GDSTO-252(H)process technology

 7.3. Size:99K  ape
ap15p10gp ap15p10gs.pdfpdf_icon

AP15P10D

AP15P10GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 230m Fast Switching Characteristic ID -15AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DSTO-263(S)r

Другие MOSFET... AP8N06SI , AP8N10MI , AP8P04MI , AP8P04S , AP8V06S , AP90N02D , AP90N02NF , AP15P06DF , IRF520 , AP16P01BF , AP16P02S , AP180N03D , AP180N04NF , AP180N10MP , AP18N03D , AP18P20P , AP1N10I .

History: 2SK3570-ZK

 

 
Back to Top

 


 
.