AP16P02S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP16P02S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP16P02S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP16P02S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16P02S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1497K  cn apm
 ap16p02s.pdf pdf_icon

AP16P02S

AP16P02S -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP16P02S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-16A DS DR

 8.1. Size:1331K  cn apm
 ap16p01bf.pdf pdf_icon

AP16P02S

AP16P01BF -18V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP16P01BF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -18V I =-16A DS DR

Другие MOSFET... AP8P04MI , AP8P04S , AP8V06S , AP90N02D , AP90N02NF , AP15P06DF , AP15P10D , AP16P01BF , STF13NM60N , AP180N03D , AP180N04NF , AP180N10MP , AP18N03D , AP18P20P , AP1N10I , AP200N04NF , AP200N04TLG5 .

History: UPA1792G

 

 
Back to Top

 


 
.