AP16P02S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP16P02S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AP16P02S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16P02S даташит

 ..1. Size:1497K  cn apm
 ap16p02s.pdf pdf_icon

AP16P02S

AP16P02S -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP16P02S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-16A DS D R

 8.1. Size:1331K  cn apm
 ap16p01bf.pdf pdf_icon

AP16P02S

AP16P01BF -18V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP16P01BF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -18V I =-16A DS D R

Другие IGBT... AP8P04MI, AP8P04S, AP8V06S, AP90N02D, AP90N02NF, AP15P06DF, AP15P10D, AP16P01BF, STF13NM60N, AP180N03D, AP180N04NF, AP180N10MP, AP18N03D, AP18P20P, AP1N10I, AP200N04NF, AP200N04TLG5