AP2N20MI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N20MI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2N20MI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N20MI даташит

 ..1. Size:1244K  cn apm
 ap2n20mi.pdf pdf_icon

AP2N20MI

AP2N20MI 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2N20MI is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system General Features VDS =200V,ID =2A RDS(ON

Другие IGBT... AP1N10I, AP200N04NF, AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, IRLB3034, AP2N30MI, AP2N7002A, AP2P15MI, AP300N04TLG5, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF, AP30N02D