AP2N20MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2N20MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2N20MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2N20MI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N20MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1244K  cn apm
 ap2n20mi.pdf pdf_icon

AP2N20MI

AP2N20MI 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2N20MI is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system General Features VDS =200V,ID =2A RDS(ON

Другие MOSFET... AP1N10I , AP200N04NF , AP200N04TLG5 , AP200N10MP , AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , AP280N10MP , IRLB3034 , AP2N30MI , AP2N7002A , AP2P15MI , AP300N04TLG5 , AP30G03GD , AP30H04DF , AP30H04NF , AP30N02D .

History: DMTH10H010SCT | AP2311MI | AP9685GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.