AP3P10MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3P10MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3P10MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP3P10MI

 

AP3P10MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2096K  cn apm
 ap3p10mi.pdf pdf_icon

AP3P10MI

AP3P10MI -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3P10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3A DS D R

 8.1. Size:1616K  cn apm
 ap3p10s.pdf pdf_icon

AP3P10MI

AP3P10S -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3P10S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3A DS D R

Другие MOSFET... AP35H04NF , AP3N06I , AP3N06MI , AP3N10BI , AP3N50D , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , IRF1407 , AP3P10S , AP40G03NF , AP40H04NF , AP40H10NF , ATM06P50TC , ATM10N10SQ , ATM10N65TF , ATM1205PSI .

 

 
Back to Top

 


 
.