ATM10N65TF - аналоги и даташиты транзистора

 

ATM10N65TF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ATM10N65TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для ATM10N65TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM10N65TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  agertech
 atm10n65tf.pdf pdf_icon

ATM10N65TF

ATM10N65TFN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 650V Drain Current: 10ADESCRIPTIONThe ATM10N65TF is a high voltage power MOSFET combines advancedtrench MOSFET designed to have better characteristics, such as fastswitching time, low gate charge, low on-state resistance and high ruggedavalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in h

 8.1. Size:340K  agertech
 atm10n10sq.pdf pdf_icon

ATM10N65TF

ATM10N10SQN-Channel Fast Switching MOSFETsDrain-Source Voltage: 100V Drain Current:10ASOT-89DescriptionThe ATM10N10SQ is the high cell density trenched N-ch MOSFETs,which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications.The ATM10N10SQ meets the RoHS and Green Product requirementwith full function reliability approved.

Другие MOSFET... AP3P06LI , AP3P10MI , AP3P10S , AP40G03NF , AP40H04NF , AP40H10NF , ATM06P50TC , ATM10N10SQ , RU6888R , ATM1205PSI , ATM2300NSA , ATM2301PSC , ATM2302NSA , ATM2305PSA , ATM2310NSA , ATM2320KNSA , AP4959A .

History: ATM2320KNSA

 

 
Back to Top

 


 
.