ATM10N65TF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM10N65TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ATM10N65TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM10N65TF даташит

 ..1. Size:694K  agertech
 atm10n65tf.pdf pdf_icon

ATM10N65TF

ATM10N65TF N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 650V Drain Current 10A DESCRIPTION The ATM10N65TF is a high voltage power MOSFET combines advanced trench MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in h

 8.1. Size:340K  agertech
 atm10n10sq.pdf pdf_icon

ATM10N65TF

ATM10N10SQ N-Channel Fast Switching MOSFETs Drain-Source Voltage 100V Drain Current 10A SOT-89 Description The ATM10N10SQ is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small p ower switching and load switch applications. The ATM10N10SQ meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие IGBT... AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, AP40G03NF, AP40H04NF, AP40H10NF, ATM06P50TC, ATM10N10SQ, 18N50, ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC, ATM2302NSA, ATM2305PSA, ATM2310NSA, ATM2320KNSA, AP4959A