AP5N50D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP5N50D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AP5N50D

 

AP5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1600K  cn apm
 ap5n50d.pdf pdf_icon

AP5N50D

AP5N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFE Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

 8.1. Size:841K  allpower
 ap5n50k.pdf pdf_icon

AP5N50D

 8.2. Size:789K  allpower
 ap5n50f.pdf pdf_icon

AP5N50D

 8.3. Size:1440K  cn apm
 ap5n50f ap5n50p ap5n50t.pdf pdf_icon

AP5N50D

AP5N50FIPIT 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4435B , AP45P06D , AP45P06NF , AP4606C , AP4953A , AP4953B , AP5N40D , AP5N50BD , 8205A , ATM3407PSA , ATM3415KPSA , ATM6402NSA , ATM7414NDH , ATM7N65ATE , ATM8205DNPD , ATM8205DNSG , ATM9435PPA .

History: HM8810S | HM740F | HM75N06 | 30N20A

 

 
Back to Top

 


 
.