AP6G03LI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6G03LI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6G03LI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для AP6G03LI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6G03LI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1723K  cn apm
 ap6g03li.pdf pdf_icon

AP6G03LI

AP6G03LI 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G03LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =6.8A DS DR

 8.1. Size:2445K  cn apm
 ap6g03s.pdf pdf_icon

AP6G03LI

AP6G03S 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =10 A DS DR

 9.1. Size:3407K  cn apm
 ap6g04s.pdf pdf_icon

AP6G03LI

AP6G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =6A DS DR

Другие MOSFET... ATM9435PPA , AP60P03D , AP65N03DF , AP65N04DF , AP65N06NF , AP68N04DF , AP68N04NF , AP6946A , IRF9540N , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.