AP30P02DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30P02DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP30P02DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P02DF даташит

 ..1. Size:1398K  cn apm
 ap30p02df.pdf pdf_icon

AP30P02DF

AP30P02DF -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P02DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-30A DS D R

 8.1. Size:592K  allpower
 ap30p06.pdf pdf_icon

AP30P02DF

 8.2. Size:680K  allpower
 ap30p06k.pdf pdf_icon

AP30P02DF

 8.3. Size:1462K  cn apm
 ap30p03df.pdf pdf_icon

AP30P02DF

AP30P03DF 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P03DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-30A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP68N04NF, AP6946A, AP6G03LI, AP260N12TLG1, AP30N10Y, AP30N15D, AP30N20P, AP30P01DF, 5N65, AP30P03D, AP40N02D, AP40N03S, AP40N10P, AP40N20MP, AP40P02D, AP40P03DF, AP40P04D