AP5P06MSI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP5P06MSI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5P06MSI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для AP5P06MSI

 

AP5P06MSI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1402K  cn apm
 ap5p06msi.pdf pdf_icon

AP5P06MSI

AP5P06MSI -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5P06MSI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-5A DS D R

 9.1. Size:1491K  cn apm
 ap5p04mi.pdf pdf_icon

AP5P06MSI

AP5P04MI -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5P04MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-5.0A DS D R

Другие MOSFET... AP40N10P , AP40N20MP , AP40P02D , AP40P03DF , AP40P04D , AP40P04DF , AP40P04NF , AP5P04MI , BS170 , AP60N02D , AP60N02DF , AP60N02NF , AP60N03D , AP60N03DF , AP60N03NF , AP60N03Y , AP60N04D .

 

 
Back to Top

 


 
.