AGM30P35M - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM30P35M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM30P35M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AGM30P35M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM30P35M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  cn agmsemi
 agm30p35m.pdf pdf_icon

AGM30P35M

AGM30P35M General DescriptionProduct SummaryThe AGM30P35M combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistanceto provide extremely low R . BVDSS RDSON IDpackage DS(ON)This device isideal for load switch and battery -30V 33m -5.4Aprotection applications. FeaturesSOP8 Pin Configuration Advance high cell density Trench technologyR to minimize conduct

 6.1. Size:1276K  cn agmsemi
 agm30p35s.pdf pdf_icon

AGM30P35M

AGM30P35S General DescriptionProduct SummaryThe AGM30P35S combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistanceto provide extremely low R . BVDSS RDSON IDpackage DS(ON)This device isideal for load switch and battery -30V 34.5m -6Aprotection applications.SOP8 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technologyR to minimize conduct

 6.2. Size:1266K  cn agmsemi
 agm30p35ap.pdf pdf_icon

AGM30P35M

AGM30P35AP General DescriptionProduct SummaryThe AGM30P35AP combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistanceto provide extremely low R . BVDSS RDSON IDpackage DS(ON)This device isideal for load switch and battery -30V 34.5m -16Aprotection applications.PDFN3.3*3.3 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technologyR to minimi

 6.3. Size:1193K  cn agmsemi
 agm30p35d.pdf pdf_icon

AGM30P35M

AGM30P35D General DescriptionProduct SummaryThe AGM30P35D combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistanceto provide extremely low R . BVDSS RDSON IDpackage DS(ON)This device isideal for load switch and battery -30V 36.5m -20Aprotection applications.TO-252 Pin Configuration Features Advance high cell density Trench technologyR to minimize cond

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AGM30P25AP , AGM30P25D , AGM30P25M , AGM30P25MBP , AGM30P25MBQ , AGM30P25S , AGM30P35AP , AGM30P35D , STP65NF06 , AGM30P35S , AGM30P55A , AGM30P55D , AGM30P55D1 , AGM30P85D , , , .

History: AGM30P85D | AGM30P55D

 

 
Back to Top

 


 
.