AGM303A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM303A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM303A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM303A даташит

 ..1. Size:1522K  cn agmsemi
agm303a.pdfpdf_icon

AGM303A

AGM303A V =10V GS V =4.5V GS Fig.3 Threshold Voltage V.S Junction Temperature Fig.4 Resistance V.S Drain Current Fig.5 On-Resistance VS Gate Source Voltage Fig.6 On-Resistance V.S Junction Temperature www.agm-mos.com 3 VER2.72 AGM303A Fig.9 Switching Time Measurement Circuit Fig.10 Gate Charge Waveform Fig.11 Avalanche Measurement Circuit Fig.12 Avalanche Waveform www.agm-mos.com

 0.1. Size:1139K  cn agmsemi
agm303ap.pdfpdf_icon

AGM303A

AGM303AP Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. V Gate -Source Voltage Vs.Tj GS(TH) VGS, Gate -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. Normalized On-Resistance Vs. Tj VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source Voltage (V) Fig5. Typica

 8.1. Size:2668K  cn agmsemi
agm303d1.pdfpdf_icon

AGM303A

AGM303D1 General Description Product Summary The AGM303D1 combines advanced trenchMOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R .This device is ideal DS(ON) for load BVDSS RDSON ID protection applications. switch and battery 30V 2.0m 100A Features Advance high cell density Trench technology TO-252 Pin Configuration Low R to minimize

 8.2. Size:1684K  cn agmsemi
agm303mna.pdfpdf_icon

AGM303A

AGM303MNA V =10V GS V =4.5V GS Fig.3 Threshold Voltage V.S Junction Temperature Fig.4 Resistance V.S Drain Current Fig.5 On-Resistance VS Gate Source Voltage Fig.6 On-Resistance V.S Junction Temperature www.agm-mos.com 3 VER2.5 AGM303MNA Fig.9 Switching Time Measurement Circuit Fig.10 Gate Charge Waveform Fig.11 Avalanche Measurement Circuit Fig.12 Avalanche Waveform www.agm-mos.c

Другие IGBT... AGM15T13F, AGM15T13H, AGM15T16C, AGM15T16D, AGM16N10C, AGM16N10D, AGM302C1, AGM302D1, MMIS60R580P, AGM303AP, AGM303D, AGM303D1, AGM303MNA, AGM3045A, AGM304A, AGM304A-B, AGM304AP