AGM306MBQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM306MBQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: WQFN3X3

Аналог (замена) для AGM306MBQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM306MBQ даташит

 ..1. Size:1072K  cn agmsemi
 agm306mbq.pdf pdf_icon

AGM306MBQ

AGM306MBQ Table 3. Electrical Characteristics (T =25 unless otherwise noted) J Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V

 6.1. Size:1082K  cn agmsemi
 agm306mbp.pdf pdf_icon

AGM306MBQ

AGM306MBP Table 3. Electrical Characteristics (T =25 unless otherwise noted) J Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 30 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V

 7.1. Size:1093K  cn agmsemi
 agm306mnq.pdf pdf_icon

AGM306MBQ

AGM306MNQ Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 30 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 7.2. Size:495K  cn agmsemi
 agm306mna.pdf pdf_icon

AGM306MBQ

AGM306MNA General Description Product Summary The AGM306MNA combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON) BVDSS RDSON ID switch and battery protection applications. for load Features 30V 6.8m 40A Advance high cell density Trench technology QFN5*6 Pin Configuration Low R to minim

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AGM305D, AGM305MA, AGM306A, AGM306AP, AGM306C, AGM306D, AGM306MA, AGM306MBP, AON7408, AGM306MNA, AGM306MNQ, AGM307MBP, AGM307MNQ, AGM312M1, AGM312M2, AGM312MAP, AGM312ME