DMN62D1SFB - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN62D1SFB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN62D1SFB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: X1DFN10063
 

 Аналог (замена) для DMN62D1SFB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN62D1SFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  diodes
 dmn62d1sfb.pdf pdf_icon

DMN62D1SFB

DMN62D1SFB60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Max Footprint of just 0.6mm2 thirteen times smaller than SOT23 V(BR)DSS RDS(on) Max @ TA = +25C Low On-Resistance1.4 @ VGS= 10V 0.41A Low Gate Threshold Voltage 60V Fast Switching Speed 1.6 @ VGS= 4.5V 0.38A Ultra-Small Surface Mount Package ESD P

 7.1. Size:356K  diodes
 dmn62d1lfd.pdf pdf_icon

DMN62D1SFB

DMN62D1LFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = +25C 2 @ VGS = 4V 400mA Fast Switching Speed 60V 2.5 @ VGS = 2.5V 350mA Low Input/Output Leakage ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description and Applicat

 8.1. Size:270K  diodes
 dmn62d0lfb.pdf pdf_icon

DMN62D1SFB

DMN62D0LFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 100mA Low Input/Output Leakage 60V ESD Protected 2.5 @ VGS = 2.5V 50mA Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qual

 8.2. Size:323K  diodes
 dmn62d0lfd.pdf pdf_icon

DMN62D1SFB

DMN62D0LFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 310mA 60V Low Input/Output Leakage 2.5 @ VGS = 2.5V 295mA ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Haloge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN601K , DMN601TK , DMN601VK , DMN601WK , DMN6066SSD , DMN6066SSS , DMN6068LK3 , DMN6068SE , IRF530 , DMN66D0LDW , DMN66D0LT , DMN66D0LW , ZXM64N035L3 , ZXMN4A06G , ZXMN4A06K , ZXMN6A07F , ZXMN6A07Z .

 

 
Back to Top

 


 
.