Справочник MOSFET. ZXMN6A08K

 

ZXMN6A08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN6A08K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 459 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для ZXMN6A08K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN6A08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  diodes
 zxmn6a08k.pdf pdf_icon

ZXMN6A08K

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN6A08K60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 80m @ VGS= 10V 7.90A 60V 150m @ VGS= 4.5V 5.75A Mech

 0.1. Size:657K  diodes
 zxmn6a08ktc.pdf pdf_icon

ZXMN6A08K

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN6A08K60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 80m @ VGS= 10V 7.90A 60V 150m @ VGS= 4.5V 5.75A Mech

 6.1. Size:446K  diodes
 zxmn6a08g.pdf pdf_icon

ZXMN6A08K

ZXMN6A08G60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.080 @ VGS = 10V5.3600.150 @ VGS = 4.5V2.8DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure combining the benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resi

 6.2. Size:652K  diodes
 zxmn6a08e6tc zxmn6a08e6 zxmn6a08e6ta.pdf pdf_icon

ZXMN6A08K

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMN6A08E660V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistanceID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Low gate drive 80m @ VGS=10V 3.5A Low threshold100V Green component and RoHS compliant (Note 1) 150m @ VGS=4.5V 2.5A Qualified to AEC-Q101 S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN66D0LW , ZXM64N035L3 , ZXMN4A06G , ZXMN4A06K , ZXMN6A07F , ZXMN6A07Z , ZXMN6A08E6 , ZXMN6A08G , 18N50 , ZXMN6A09DN8 , ZXMN6A09G , ZXMN6A09K , ZXMN6A11DN8 , ZXMN6A11G , ZXMN6A11Z , ZXMN6A25DN8 , ZXMN6A25G .

History: SVSP11N60FJD2 | TSM9926DCS | FDS7088SN3 | NCE8290B | 10N65KL-TF2-T | TSF740MR | CS640FA9H

 

 
Back to Top

 


 
.