AP2318A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2318A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2318A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2318A даташит

 ..1. Size:569K  allpower
ap2318a.pdfpdf_icon

AP2318A

AP2318A N-Channel Enhancement Mosfet Features 20V,6A R

 0.1. Size:59K  ape
ap2318agen-hf.pdfpdf_icon

AP2318A

AP2318AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 540mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to G achieve the lowest possible on

 8.1. Size:97K  ape
ap2318gen-hf.pdfpdf_icon

AP2318A

AP2318GEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mA S RoHS Compliant SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extrem

 8.2. Size:148K  ape
ap2318gen.pdfpdf_icon

AP2318A

AP2318GEN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2318 series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve t

Другие IGBT... AP20N100Q, AP20P30S, AP2301B, AP2310, AP2316, AP2317A, AP2317QD, AP2317SD, RU7088R, AP2335, AP25N06K, AP25N06Q, AP25P06K, AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD