ZXMN7A11G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZXMN7A11G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.35 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для ZXMN7A11G
ZXMN7A11G Datasheet (PDF)
zxmn7a11g.pdf

ZXMN7A11G70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary VDSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=3.8A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fast
zxmn7a11gta.pdf

ZXMN7A11G70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary VDSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=3.8A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fast
zxmn7a11k.pdf

ZXMN7A11K70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=6.1A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fa
zxmn7a11ktc.pdf

ZXMN7A11K70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=6.1A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fa
Другие MOSFET... ZXMN6A09K , ZXMN6A11DN8 , ZXMN6A11G , ZXMN6A11Z , ZXMN6A25DN8 , ZXMN6A25G , ZXMN6A25K , ZXMN6A25N8 , K2611 , ZXMN7A11K , BSS123Z , BSS123W , ZVN4424Z , ZVN4525E6 , ZVN4525G , ZVN4525Z , ZVNL120G .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: F25N10 | F20N60 | F20N50 | F18N65 | F18N50 | F16N65 | F14N65 | F13N50 | F12N60 | DTJ018N04N | DTG050P06LA | DTG045N04NA | DTG025N04NA | DTG023N03L | DTG018N04N | DTE043N04NA
Popular searches
c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48